কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা (এআই) ও উচ্চক্ষমতাসম্পন্ন কম্পিউটিংয়ের (High-Performance Computing) চাহিদা সামনে রেখে নতুন প্রজন্মের মেমোরি ও স্টোরেজ প্রযুক্তি উন্মোচন করেছে দক্ষিণ কোরিয়ার প্রযুক্তি জায়ান্ট স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স।

যুক্তরাষ্ট্রের ক্যালিফোর্নিয়ার সান্তা ক্লারায় অনুষ্ঠিত ফিউচার অব মেমোরি অ্যান্ড স্টোরেজ (FMS) ২০২৬ সম্মেলনে প্রতিষ্ঠানটি ৪০০-এর বেশি লেয়ারবিশিষ্ট V10 BV-NAND, পরবর্তী প্রজন্মের HBM5 এবং নতুন zHBM প্রযুক্তিসহ একাধিক উদ্ভাবন প্রদর্শন করে।

সম্মেলনের মূল প্রবন্ধে স্যামসাংয়ের ফ্ল্যাশ প্রোডাক্ট অ্যান্ড টেকনোলজির প্রধান জিন-ইয়ুব লি এবং ডিআরএএম ডিজাইন টিমের প্রজেক্ট লিডার কিউংরিয়ুন কিম ভবিষ্যতের থ্রিডি মেমোরি আর্কিটেকচার নিয়ে বিস্তারিত তুলে ধরেন।

৪০০-এর বেশি লেয়ারের V10 BV-NAND

স্যামসাং জানিয়েছে, প্রথম V-NAND প্রযুক্তি বাজারে আনার ১৩ বছর পর এবার তারা বিশ্বের প্রথম ৪০০-এর বেশি ভার্টিক্যাল লেয়ারযুক্ত V10 BV-NAND প্রযুক্তি প্রদর্শন করেছে।

নতুন মেমোরিতে উন্নত ওয়েফার বন্ডিং প্রযুক্তি ব্যবহার করা হয়েছে, যা উচ্চ ঘনত্বের মেমোরি স্ট্যাক তৈরি করতে সহায়তা করবে।

প্রতিষ্ঠানটির দাবি, আগের V9 প্রজন্মের তুলনায় V10-এ মেমোরি ডেনসিটি প্রায় ৫৮ শতাংশ বৃদ্ধি পেয়েছে। পাশাপাশি রিড, রাইট ও ইনপুট-আউটপুট (I/O) পারফরম্যান্স উন্নত হওয়ার পাশাপাশি বিদ্যুৎ ব্যবহারের দক্ষতাও বেড়েছে।

HBM5-এর পর এবার zHBM

এআই ডেটা সেন্টারের জন্য নতুন zHBM (Zero-distance High Bandwidth Memory) প্রযুক্তির ধারণাও তুলে ধরেছে স্যামসাং।

প্রতিষ্ঠানটির ভাষ্য অনুযায়ী, HBM5-এর তুলনায় zHBM প্রায় আট গুণ বেশি পারফরম্যান্স এবং দশ গুণ বেশি মেমোরি ডেনসিটি দিতে সক্ষম হবে।

এ প্রযুক্তির বিশেষত্ব হলো, প্রচলিত HBM-এর মতো প্রসেসরের পাশে না থেকে এটি সরাসরি এআই অ্যাক্সিলারেটরের ওপর সংযুক্ত থাকবে। এতে ডেটা স্থানান্তরের দূরত্ব কমে যাবে, ফলে বিদ্যুৎ সাশ্রয় বাড়বে এবং তাপ নিয়ন্ত্রণ আরও কার্যকর হবে।

এজ এআইয়ের জন্য zNAND-O

এজ এআই ডিভাইসের জন্য স্যামসাং zNAND-O নামে নতুন ফ্ল্যাশ মেমোরি প্রযুক্তিও প্রদর্শন করেছে।

৪ ও ৮ লেয়ারের এই প্রযুক্তি প্রচলিত NAND-এর তুলনায় কম লেটেন্সি এবং দ্রুততর ডেটা অ্যাক্সেস নিশ্চিত করবে বলে জানিয়েছে প্রতিষ্ঠানটি।

LPDDR5X-PIM প্রযুক্তি

এছাড়া LPDDR5X-PIM (Processing-In-Memory) প্রযুক্তিও প্রদর্শন করেছে স্যামসাং।

এই প্রযুক্তিতে ডেটা প্রসেসরের কাছে পাঠানোর আগেই মেমোরি চিপের ভেতরেই প্রাথমিক প্রক্রিয়াকরণ সম্পন্ন করা সম্ভব হবে। ফলে মেমোরি ব্যান্ডউইথ বাড়বে, একই সঙ্গে শক্তি খরচও কমবে।

বিশ্লেষকদের মতে, এআই, ক্লাউড কম্পিউটিং এবং ভবিষ্যতের ডেটা সেন্টারের চাহিদা পূরণে নতুন এসব প্রযুক্তি স্যামসাংয়ের সেমিকন্ডাক্টর ব্যবসাকে আরও শক্তিশালী অবস্থানে নিয়ে যেতে পারে।