স্ন্যাপড্রাগন ৮ জেন ১ চিপসেট তৈরিতে ৪ ন্যানোমিটারের উৎপাদন প্রযুক্তি ব্যবহার করছে কোয়ালকম। ওয়্যারেবল ডিভাইসের নতুন চিপ তৈরিতেও একই প্রযুক্তি ব্যবহারের প্রস্তুতি নিচ্ছে প্রতিষ্ঠানটি। খবর গিজমোচায়না।
কোয়ালকমের স্ন্যাপড্রাগন ওয়্যার ৫১০০ ও ওয়্যার ৫১০০ প্লাস চিপসেট তৈরিতে ৪ ন্যানোমিটারের প্রসেস নড ব্যবহার করা হতে পারে বলে ধারণা করা হচ্ছে। ফলে নতুন চিপগুলো বর্তমান প্রজন্মের তুলনায় অধিক কার্যক্ষমতাসম্পন্ন হবে বলে ধারণা করছেন সংশ্লিষ্টরা।
বর্তমানে কোয়ালকমের স্ন্যাপড্রাগন ওয়্যার ৪১০০ চিপসেটটি ১২ ন্যানোমিটারের প্রসেস নড ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে। যেখানে ওয়্যার ৩১০০ চিপটি ২৮ ন্যানোমিটারের প্রসেস নড ব্যবহারের মাধ্যমে তৈরি করা হয়েছিল। প্রকাশিত প্রতিবেদনের তথ্যানুযায়ী, নতুন চিপগুলো স্যামসাংয়ের ফাউন্ড্রিতে উৎপাদন করা হবে। তবে অন্য স্মার্টফোন উৎপাদনকারী প্রতিষ্ঠান চিপ ব্যবহার করতে পারবে, শুধু স্যামসাং ডিভাইসের জন্য সীমাবদ্ধ থাকবে না। কোয়ালকমের স্ন্যাপড্রাগন ৮ জেন ১ চিপসেটটিও স্যামসাংয়ের নতুন ৪ ন্যানোমিটারের প্রসেস নড ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে।
প্রকাশিত প্রতিবেদনের তথ্য সত্য হলে ওয়্যার ৫১০০ ও ৫১০০ প্লাসের মধ্যে শুধু প্যাকেজিং-সংক্রান্ত পার্থক্য থাকবে। স্ন্যাপড্রাগন ওয়্যার ৫১০০ চিপসেটে এসওসি ও পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটস (পিএমআসি) আলাদা থাকবে। অন্যদিকে স্ন্যাপড্রাগন ওয়্যার ৫১০০ প্লাসে মোল্ডেড এমবেডেড প্যাকেজ (এমইপি) থাকবে। যেখানে সবকিছু একত্রে থাকবে। চিপসেটে এআরএমের হার্টরেট ও ফল ডিটেকশন প্রযুক্তি থাকবে বলেও প্রতিবেদন সূত্রে জানা গেছে।
চিপসেটগুলোতে ১ দশমিক ৭ গিগাহার্টজ গতিসম্পন্ন চারটি করটেক্স এ৫৩ কোর এবং ৭০০ মেগাহার্টজের অ্যাড্রেনো ৭০২ গ্রাফিকস ইউনিট থাকবে। চিপগুলো ৪ জিবি এলপিডিডিআরফোরএক্স র্যাম ও ইএমএমসি ৫.১ স্টোরেজ ব্যবহার করা যাবে।
