স্যামসাং ইলেকট্রনিকস চীনা সেমিকন্ডাক্টর কোম্পানি ইয়াংজি মেমোরি টেকনোলজিস কোং-এর (ওয়াইএমটিসি) সঙ্গে একটি চুক্তি সই করেছে। যার মাধ্যমে স্যামসাং ৪০০ স্তরবিশিষ্ট এনএএনডি ফ্ল্যাশ মেমোরি তৈরিতে চীনা কোম্পানিটির প্রযুক্তি ব্যবহার করার অনুমতি পাবে।
ওয়াইএমটিসি সিংহুয়া ইউনিগ্রুপের একটি সহায়ক সংস্থা। চীন সরকার সমর্থিত কোম্পানিটি ২০১৬ সালে প্রতিষ্ঠিত হয়। দেশটির উহানে এর সদর দপ্তর অবস্থিত। প্রতিষ্ঠানটি সলিড স্টেট ড্রাইভ (এসএসডি), স্মার্টফোন ও ডাটা সেন্টারের মতো স্টোরেজ ডিভাইসের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান থ্রি-ডি এনএএনডি ফ্ল্যাশ মেমোরি উৎপাদন করে।
কোরিয়ার চোসুনবিজ নিউজ সাইট অনুসারে, ‘হাইব্রিড বন্ডিং’ সম্পর্কিত পেটেন্ট বিরোধ এড়াতে চুক্তিতে সম্মত হয়েছে স্যামসাং, যা ৪০০ স্তর এনএএনডি মেমোরি উৎপাদনের একটি অপরিহার্য প্রক্রিয়া হবে। চোসুনবিজ জানিয়েছে, ওয়াইএমটিসি হাইব্রিড বন্ডিং পেটেন্ট নিবন্ধন করেছে এবং তারাই এনএএনডি ফ্ল্যাশ মেমোরির উৎপাদন প্রক্রিয়ায় প্রথম প্রাসঙ্গিক প্রযুক্তি প্রয়োগকারী।
যদিও বাজার হিস্যার দিক থেকে স্যামসাং ইলেকট্রনিকস ও এসকে হাইনিক্সের মতো মেমোরি সেমিকন্ডাক্টর করপোরেশনের চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে পিছিয়ে আছে ওয়াইএমটিসি। তবে প্রতিষ্ঠানটি দ্রুত দক্ষিণ কোরিয়ান সংস্থাগুলোর সঙ্গে তাল মিলিয়ে চলেছে।
সম্প্রতি ২৯৪ স্তরবিশিষ্ট এনএএনডি ফ্ল্যাশ মেমোরির ব্যাপক উৎপাদন শুরু করেছে ওয়াইএমটিসি।
স্যামসাং ও ওয়াইএমটিসির মধ্যকার চুক্তিটি উভয় সংস্থাকে একে অন্যের পেটেন্ট লঙ্ঘন থেকে রক্ষা করবে। গত বছর মার্কিন আদালতে এনএএনডি প্রযুক্তি লঙ্ঘনের অভিযোগে মাইক্রোনের বিরুদ্ধে মামলা করেছিল ওয়াইএমটিসি।
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পসংশ্লিষ্ট একজনের বরাতে সংবাদমাধ্যম চোসুনবিজ জানিয়েছে, মেমোরি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে কোম্পানিগুলো পরবর্তী প্রজন্মের পণ্য উন্নয়ন ও উৎপাদনের আগে পেটেন্ট বিরোধ এড়াতে আগে থেকেই লাইসেন্সিং চুক্তি স্বাক্ষর করে। যদিও এ ধরনের চুক্তি প্রযুক্তি শিল্পে একটি সাধারণ প্রক্রিয়া।
